我们为全球各个行业提供Diodes DMN4010LFG-13现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您是否正在寻找一颗能大幅提升开关电源效率的“核心动力”？DMN4010LFG-13正是为此而生。这颗N沟道MOSFET拥有40V的耐压和11.5A的强大电流处理能力，其精髓在于仅12毫欧的超低导通电阻，能显著减少功率损耗和发热，让您的电源转换过程更加“冷静”且高效。

它采用先进的PowerDI3333-8封装，在节省宝贵电路板空间的同时，提供了优异的散热性能。无论是用于同步整流、电机驱动还是负载点转换，它都能让您轻松实现更高功率密度和更稳定的系统运行。选择它，就是为您的产品注入一颗强劲而可靠的“心脏”。

• 型号:DMN4010LFG-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 11.5A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11.5A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:12 毫欧 @ 14A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:37 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1810 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:930mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMN4010LFG-13，Diodes产品一站式供应商。