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SBR3U60P5Q-7 零件图片(仅供参考)

SBR3U60P5Q-7
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SBR3U60P5Q-7 规格参数

您是否正在寻找一颗能显著提升电源效率、同时兼顾紧凑设计与高可靠性的整流芯片?SBR3U60P5Q-7正是您的理想之选。它采用先进的超级势垒整流技术,在3A电流下仅产生620mV的超低正向压降,能大幅降低导通损耗,让您的电源模块运行更高效、更凉爽,直接转化为更长的电池续航或更低的系统温升。

这颗芯片专为严苛环境而生,拥有60V的反向耐压和汽车级AEC-Q101认证,确保在车载、工业等应用中稳定可靠。其小巧的PowerDI5表面贴装封装,让您轻松实现高功率密度设计,节省宝贵的电路板空间。选择SBR3U60P5Q-7,就是为您的产品选择了一颗强劲而高效的“心脏”。

  • 型号:SBR3U60P5Q-7
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:PowerDI 5
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
  • 描述:DIODE SBR 60V 3A POWERDI5
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 技术:超级势垒
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V
  • 电流 - 平均整流 (Io):3A
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):620 mV @ 3 A
  • 速度:标准恢复 \>500ns,\> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr):-
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 A @ 60 V
  • 不同Vr、F 时电容:-
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q101
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:PowerDI 5
  • 供应商器件封装:PowerDI 5
  • 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C
  • SBR3U60P5Q-7,Diodes产品一站式供应商。
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SBR3U60P5Q-7 基本参数:

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