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还在寻找一颗能兼顾高效能与高可靠性的功率开关吗？DMN4030LK3-13正是为您的中功率应用量身打造的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有40V的耐压和9.4A的连续电流能力，其最突出的亮点在于极低的导通电阻，能显著减少开关过程中的功率损耗，让您的系统运行更凉爽、能效比更高。

它能让您轻松驾驭电源转换、电机控制等场景。优化的栅极特性确保了快速、干净的开关动作，帮助您提升整体响应速度并简化驱动设计。采用坚固的TO-252-3封装，提供了出色的功率处理能力和散热性能，是您构建紧凑、高效且耐用产品的理想选择。

• 型号:DMN4030LK3-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 9.4A TO252-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9.4A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:30 毫欧 @ 12A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12.9 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:604 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.14W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• DMN4030LK3-13，Diodes产品一站式供应商。