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您是否正在寻找一颗能显著提升开关电源效率、同时简化散热设计的核心器件？DMN4034SSS-13正是您理想的答案。这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，拥有40V的耐压和5.4A的强劲电流处理能力，其核心魅力在于极低的导通电阻（仅34毫欧@6A,10V），能大幅降低导通损耗，让您的系统运行更凉爽、更高效。

它专为 demanding 的应用而设计。其4.5V的低驱动电压让您能轻松兼容多种控制逻辑，快速实现开关动作。同时，优化的栅极电荷和输入电容确保了出色的开关速度，特别适用于高频DC-DC转换、电机驱动和负载开关等场景。采用紧凑的8-SO封装，它能轻松融入空间受限的设计，在-55°C至150°C的宽广温度范围内稳定工作，为您提供可靠持久的性能保障。

• 型号:DMN4034SSS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 5.4A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.4A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:34 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:453 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.56W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SO
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• DMN4034SSS-13，Diodes产品一站式供应商。