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还在寻找那颗能瞬间提升您电路效率的“心脏”吗？DMN4800LSSL-13 N沟道MOSFET正是您期待的答案。它专为高效开关而优化，其超低的导通电阻能显著减少功率损耗，让您的电源转换或电机驱动应用运行得更凉爽、更持久，直接提升终端产品的能效表现和可靠性。

这颗芯片能让您轻松应对30V/8A的功率场景。得益于优异的栅极电荷和输入电容特性，它能实现快速、干净的开关动作，让您的系统响应更迅捷，控制更精准。无论是用于同步整流、DC-DC转换还是作为负载开关，它都能帮助您简化设计，实现更高功率密度。

选择DMN4800LSSL-13，就是选择了一个经得起考验的高性能解决方案。其坚固的设计和宽广的工作温度范围，确保它在各种环境下稳定工作，让您对产品的耐用性充满信心，全力聚焦于创新与市场开拓。

• 型号:DMN4800LSSL-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 8A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:14 毫欧 @ 8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.6V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.7 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:798 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.46W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SO
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• DMN4800LSSL-13，Diodes产品一站式供应商。