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您正在设计需要高效、紧凑信号切换或负载驱动的电路吗？DMN5010VAK-7双N沟道MOSFET阵列正是为您量身打造。它集成了两个独立的逻辑电平MOSFET，让您仅用一颗芯片就能轻松控制两路信号，极大简化布局并节省宝贵的电路板空间。

这颗芯片能为您做什么？凭借50V的耐压和280mA的连续电流能力，它能高效驱动小型继电器、LED灯组或作为模拟开关。其关键优势在于极低的驱动需求仅需5V电压即可实现低至2欧姆的导通电阻，这意味着更低的功耗和更少的发热，让您的设备运行更高效、更凉爽。无论是便携设备还是高密度模块，它都是提升整体性能的明智之选。

• 型号:DMN5010VAK-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-563
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT563
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:50V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):280mA
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 50mA，5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:50pF @ 25V
• 功率 - 最大值:250mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:SOT-563，SOT-666
• 供应商器件封装:SOT-563
• DMN5010VAK-7，Diodes产品一站式供应商。