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您正在寻找一颗能轻松驾驭低电压控制、高效切换中小功率负载的“得力干将”吗？DMN53D0U-13正是这样一颗为您量身打造的N沟道MOSFET。它能在1.8V的低驱动电压下迅速响应，实现高效导通，让您的微控制器或逻辑电路轻松指挥功率路径，极大地简化了您的驱动电路设计。

这颗芯片能为您做什么？它让您以极小的SOT-23封装，安全可靠地处理高达50V电压和300mA的电流。其优异的开关特性（低栅极电荷和输入电容）意味着更快的速度与更低的开关损耗，直接提升您系统的整体能效和响应速度。无论是用于便携设备的负载开关、信号隔离，还是作为电机驱动、电源管理中的关键开关元件，它都能确保稳定、低温、高效的运行，助您打造出更紧凑、更持久、性能更出众的电子产品。

• 型号:DMN53D0U-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 50V 300MA SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:50 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):300mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 50mA，5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.6 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:37.1 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:520mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• DMN53D0U-13，Diodes产品一站式供应商。