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还在为电路板空间紧张和驱动效率低下而头疼吗？DMN601DMK-7双N沟道MOSFET阵列正是为您排忧解难的理想选择。这颗芯片能轻松胜任信号切换、负载开关等关键任务，其逻辑电平门控特性让您可以直接用微控制器的GPIO口驱动，省去繁琐的电平转换，设计瞬间变得简洁高效。

凭借仅2.4欧姆的低导通电阻和最高60V的耐压能力，它能让您的系统能量损耗更低，运行更稳定可靠。超小的SOT-23-6封装更是为您节省了宝贵的PCB空间，让产品设计更加紧凑精巧。选择它，就是选择了一条通往高性能、高可靠性设计的捷径。

• 型号:DMN601DMK-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-26
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 60V 0.51A SOT26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:60V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):510mA
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.4 欧姆 @ 200mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.304nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:50pF @ 25V
• 功率 - 最大值:700mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:SOT-23-6
• 供应商器件封装:SOT-26
• DMN601DMK-7，Diodes产品一站式供应商。