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您是否正在寻找一颗能扛起大电流开关重任，同时又能保持冷静高效的“核心开关”？DMPH4015SPSQ-13正是为您而来。这颗P沟道MOSFET拥有40V的漏源电压和高达50A的连续电流处理能力，专为 demanding 的功率转换和电机控制应用设计。

它的核心魅力在于极致的效率。仅10毫欧的最大导通电阻，能显著降低导通损耗，让电能更高效地传输，同时减少发热。搭配优化的91nC栅极电荷，它能实现快速、干净的开关动作，让您的系统响应更迅捷，整体能效表现脱颖而出。

采用紧凑的PowerDI5060-8表面贴装封装，它让您在有限的空间内也能部署强大的功率开关解决方案。从工业驱动到汽车电子，选择它，就是为您的产品注入了高效、可靠的核心动力。

• 型号:DMPH4015SPSQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 40V 50A PWRDI5060-8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):50A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10 毫欧 @ 9.8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:91 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4234 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.6W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• DMPH4015SPSQ-13，Diodes产品一站式供应商。