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还在为复杂的多路控制电路占用大量板面而头疼吗？DMN601DWK-7双N沟道MOSFET阵列就是您的空间优化大师与效率引擎。它让您能够轻松地用微控制器的逻辑电平直接驱动，高效切换高达60V电压、305mA电流的负载，其低至2欧姆的导通电阻确保功率损耗最小化。

这颗芯片专为高密度设计而生，采用超小的SOT-363封装，完美集成两个独立通道，为您节省每一寸宝贵的PCB面积。无论是用于便携设备的电源路径管理，还是信号链中的多路选择，它都能提供稳定可靠的性能，让您的产品设计更紧凑，运行更高效，在竞争中脱颖而出。

• 型号:DMN601DWK-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-363
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT363
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:60V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):305mA
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 500mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:50pF @ 25V
• 功率 - 最大值:200mW
• 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363
• 供应商器件封装:SOT-363
• DMN601DWK-7，Diodes产品一站式供应商。