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还在为复杂的双路开关电路占用大量板面而头疼吗？DMN601VK-7将彻底改变您的设计！这颗来自Diodes Incorporated的双N沟道MOSFET阵列芯片，集高效能与微型化于一身，让您轻松实现紧凑、可靠的开关控制与信号切换。

它拥有60V的耐压和305mA的驱动能力，导通电阻低至2欧姆，能显著减少功率损耗，提升系统效率。更妙的是，其2.5V的低开启电压，让您可以直接用微控制器的GPIO口驱动，省去额外的电平转换电路，设计从未如此简洁高效。无论是延长电池寿命，还是缩小产品体积，它都是您的得力助手。

• 型号:DMN601VK-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-563
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT563
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:60V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):305mA
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 500mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:50pF @ 25V
• 功率 - 最大值:250mW
• 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:SOT-563，SOT-666
• 供应商器件封装:SOT-563
• DMN601VK-7，Diodes产品一站式供应商。