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还在为寻找一颗既能承载大电流又具备超低导通电阻的P沟道MOSFET而烦恼吗？ZXMP3F35N8TA正是为您的高效设计而生。它能让您的电源管理或负载开关电路以极低的损耗运行，显著减少发热，从而提升终端产品的能效和可靠性。

这颗芯片能为您做什么？它凭借仅12毫欧的超低导通电阻（@10V），轻松驾驭高达9.3A的连续电流，确保功率路径上的压降最小化，电能得以高效传输。其优化的开关特性（栅极电荷仅77.1nC）让开关动作迅速利落，有效降低开关损耗，特别适合需要频繁开关的应用场景。

从便携设备到工业模块，ZXMP3F35N8TA的30V耐压和宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）为您提供了坚实的设计保障。选择它，就是为您的产品选择了一颗高效、可靠的心脏，让您的设计在性能和稳定性上赢得先机。

• 型号:ZXMP3F35N8TA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 9.3A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9.3A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:12 毫欧 @ 12A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.6V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:77.1 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4600 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.56W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SO
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• ZXMP3F35N8TA，Diodes产品一站式供应商。