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还在为寻找一颗既能扛大电流又足够小巧的MOSFET而烦恼吗？DMN6040SVT-7正是为您量身打造的解决方案！这颗N沟道MOSFET拥有60V的漏源电压和5A的连续电流能力，能轻松胜任各种开关和功率调节任务。

它的核心魅力在于极高的效率。仅44毫欧的超低导通电阻，能显著减少导通损耗，让您的设备运行更凉爽、更省电。同时，其快速的开关特性和低栅极电荷，确保了响应迅捷，能有效提升整体系统的动态性能。无论是用于电源转换、电机控制还是负载开关，它都能让您的设计更加高效可靠。

采用微型TSOT-26封装的DMN6040SVT-7，完美平衡了性能与尺寸。它让您能在紧凑的空间内实现强大的功率处理，简化布局，加速产品开发进程。选择它，就是为您的项目注入一颗强劲而高效的核心。

• 型号:DMN6040SVT-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TSOT-26
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 60V 5A TSOT26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:44 毫欧 @ 4.3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1287 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TSOT-26
• 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
• DMN6040SVT-7，Diodes产品一站式供应商。