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还在寻找一颗能兼顾高效能与易驱动性的MOSFET吗？DMN6066SSS-13正是为您的中小功率开关应用量身打造。它能让您的电源转换或电机控制电路运行得更加“冷静”且高效，大幅减少能量损耗。

这颗芯片的核心价值在于其卓越的电气特性：高达60V的耐压和3.7A的电流处理能力，让您应对主流应用场景时底气十足；而仅66毫欧的超低导通电阻，直接转化为更低的导通压降和发热量，显著提升系统整体效率。同时，它具备4.5V的低驱动电压，让您能够轻松地用标准逻辑电平进行控制，简化驱动电路设计。

无论是用于提升消费电子产品的续航，还是增强工业设备的可靠性，DMN6066SSS-13都能以紧凑的8-SO封装，为您提供稳定、高效的动力开关解决方案，让您的设计事半功倍。

• 型号:DMN6066SSS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 3.7A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.7A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:66 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:502 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.56W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SO
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• DMN6066SSS-13，Diodes产品一站式供应商。