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还在为电源转换效率瓶颈而烦恼吗？DMN6069SFGQ-13正是为您突破限制而生的利器。这颗N沟道MOSFET拥有60V/18A的强悍规格，其核心价值在于极低的导通电阻（仅50毫欧@10V），能显著降低开关损耗，直接提升您的系统整体能效，让热量更少，续航更长。

它采用紧凑的PowerDI3333-8封装，在节省宝贵PCB空间的同时，提供了出色的功率处理能力。优化的栅极电荷确保快速开关，非常适合高频DC-DC转换、电机驱动及各类负载开关应用。宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）则保证了在各种环境下的稳定性和可靠性。

简而言之，DMN6069SFGQ-13让您能以更小的体积，实现更高效率、更可靠的功率控制设计，轻松应对高密度应用的挑战。

• 型号:DMN6069SFGQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 18A POWERDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:50 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:25 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1480 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.4W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMN6069SFGQ-13，Diodes产品一站式供应商。