我们为全球各个行业提供Diodes DMN60H080DS-13现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为高压小电流控制电路寻找一颗可靠、高效的“心脏”吗？DMN60H080DS-13正是为您而来！这颗N沟道MOSFET拥有高达600V的耐压能力，能轻松应对AC-DC转换、LED驱动等场景中的高压侧开关任务，让您的设计在高压环境下依然稳定可靠。

它采用先进的MOSFET技术，在10V驱动电压下导通电阻极低，配合超低的栅极电荷和输入电容，能显著降低开关损耗，提升系统整体能效。其紧凑的SOT-23-3封装，让您能在狭小的PCB空间内实现高性能布局，同时宽广的工作温度范围确保产品在各种环境中持久耐用。选择它，就是为您的产品选择了一份高效与安心的保障。

• 型号:DMN60H080DS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 80MA SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:100 欧姆 @ 60mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:1.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:25 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• DMN60H080DS-13，Diodes产品一站式供应商。