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还在寻找一颗能轻松驾驭600V高压环境，同时保持高效与可靠的功率开关吗？DMN60H4D5SK3-13正是为您而来的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有2.5A的强劲电流处理能力，其核心优势在于极低的导通电阻与栅极电荷，能显著降低开关过程中的能量损耗，让您的电源转换或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

它采用坚固的TO-252表面贴装封装，散热性能优异，安装便捷，非常适合空间紧凑的现代电子设计。无论是用于工业电源、家用电器还是LED驱动，DMN60H4D5SK3-13都能凭借其宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）和稳定的性能，确保您的产品在各种环境下持久稳定地工作。选择它，就是为您的产品选择了一份坚实的性能保障。

• 型号:DMN60H4D5SK3-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 2.5A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.5 欧姆 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:273.5 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:41W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• DMN60H4D5SK3-13，Diodes产品一站式供应商。