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还在为寻找一颗能在微小空间内高效控制功率的MOSFET而烦恼吗？让DMN61D9UW-7为您排忧解难！这颗N沟道MOSFET是您实现紧凑型、高效率设计的秘密武器。它能让您轻松驾驭高达60V的电压和340mA的电流，凭借其低至2欧姆的导通电阻和仅需1.8V的低压驱动特性，显著降低功率损耗，提升系统整体能效。

无论是用于便携设备的电源开关、信号路径切换，还是作为精密电路中的负载驱动器，DMN61D9UW-7都能以SOT-323的超小身形，为您节省宝贵的PCB空间。其快速的开关响应和出色的热性能，确保您的应用运行更稳定、更可靠。选择它，就是选择了一种让设计更简洁、性能更出众的轻松方式。

• 型号:DMN61D9UW-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-323
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 340MA SOT323
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):340mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 50mA，5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.4 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:28.5 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:320mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-323
• 封装/外壳:SC-70，SOT-323
• DMN61D9UW-7，Diodes产品一站式供应商。