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您是否希望为小巧精密的电路找到一颗“高效能、小身材”的开关核心？DMN62D0LFB-7正是为您而来。这颗N沟道MOSFET能轻松胜任60V电压下、100mA电流的负载开关任务，其低至1.5V的驱动门槛和出色的导通特性，让您的系统能以极低的控制功耗实现高效、可靠的信号通断。

它采用先进的3-DFN超微型封装，几乎不占用宝贵的PCB空间，非常适合集成到对尺寸极其敏感的便携式设备、物联网模块或传感器接口中。选择它，就是选择了一种让设计更简洁、性能更稳定、能效更出众的智能化解决方案。

• 型号:DMN62D0LFB-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X1-DFN1006-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 100MA 3DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 100mA，4V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.45 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:32 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:470mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:X1-DFN1006-3
• 封装/外壳:3-UFDFN
• DMN62D0LFB-7，Diodes产品一站式供应商。