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您是否正在寻找一颗能同时驾驭两个电路通道，且在微型封装内毫不妥协性能的开关解决方案？DMN62D0UDW-7正是为此而生。这颗双N沟道MOSFET阵列芯片，能轻松为您实现高效的信号切换与低功率负载驱动，其低至2欧姆的导通电阻和超低的栅极电荷，让您的系统功耗更低、响应更快。

它就像您电路板上的“高效双控开关”，特别适合空间受限的便携式电子产品、物联网模块或精密仪器。无论是管理电源路径、进行电平转换，还是驱动小型继电器、LED灯组，它都能稳定可靠地工作。宽泛的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）更能让您无惧环境挑战，专注于核心功能设计。选择它，让您的设计更紧凑，性能更卓越。

• 型号:DMN62D0UDW-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-363
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:60V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):350mA
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 100mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.5nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:32pF @ 30V
• 功率 - 最大值:320mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363
• 供应商器件封装:SOT-363
• DMN62D0UDW-7，Diodes产品一站式供应商。