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还在为电路中的功率开关效率低下、体积过大而烦恼吗？ZXMN3A01E6TA N沟道MOSFET正是为您而来的高效解决方案。它能在30V电压和2.4A电流下稳定工作，凭借低至120毫欧的导通电阻，大幅减少能量损耗，让您的设备运行更凉爽、续航更持久。

这颗芯片采用先进的MOSFET技术，开关速度快，驱动简单（仅需4.5V-10V栅极电压），能轻松集成到您的DC-DC转换器、电机驱动或负载开关电路中。其SOT-23-6的超小封装，让您在追求高性能的同时，毫不妥协PCB的布局空间。选择它，就是选择了一种让设计更紧凑、性能更卓越的轻松方式。

• 型号:ZXMN3A01E6TA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-6
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 2.4A SOT-23-6
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.4A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:120 毫欧 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:3.9 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:190 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-6
• 封装/外壳:SOT-23-6
• ZXMN3A01E6TA，Diodes产品一站式供应商。