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您是否正在寻找一颗能完美平衡性能、尺寸与可靠性的功率开关解决方案？DMN62D1LFDQ-13正是为您而来。这颗N沟道MOSFET拥有60V的耐压和400mA的电流处理能力，其核心使命是让您的设计更高效、更紧凑。它凭借低至2欧姆的导通电阻，大幅降低功率损耗，直接为您的便携设备延长续航；其微小的U-DFN1212-3封装，为您节省宝贵的PCB空间，助力产品实现更纤薄、更时尚的工业设计。

更重要的是，它生而可靠。符合汽车级AEC-Q101标准，并能在-55°C到150°C的极端温度范围内稳定工作，让您的产品无惧环境挑战，品质坚如磐石。无论是用于负载开关、电源路径管理还是信号切换，DMN62D1LFDQ-13都能以出色的能效和稳健的表现，成为您电路中值得信赖的“高效守门员”，轻松提升整体系统的性能和可靠性。

• 型号:DMN62D1LFDQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN1212-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 400MA 3DFN T\\u0026R 1
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):400mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 100mA，4V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.55 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:36 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:500mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN1212-3
• 封装/外壳:3-XDFN
• DMN62D1LFDQ-13，Diodes产品一站式供应商。