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还在为寻找一颗既能承受大电流又具备出色开关性能的P沟道MOSFET而费神吗？让DMP3017SFGQ-7为您解决难题。这颗芯片能轻松驾驭30V/11.5A的功率场景，其低至10毫欧的导通电阻，直接为您带来更低的传导损耗和更高的系统效率，让设备运行更凉爽，续航更持久。

它集成了快速开关特性（栅极电荷仅41nC）与出色的热性能（功耗940mW），让您在高频电源转换或负载开关应用中，既能实现高效能，又能确保稳定可靠。采用紧凑的PowerDI3333-8封装，它为您节省宝贵的电路板空间，是打造轻薄高效现代电子产品的理想动力核心。

• 型号:DMP3017SFGQ-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 11.5A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11.5A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10 毫欧 @ 11.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:41 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2246 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:940mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMP3017SFGQ-7，Diodes产品一站式供应商。