我们为全球各个行业提供Diodes DMN62D1SFB-7B现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为寻找一颗既能承受60V高压，又足够小巧高效的开关管而烦恼吗？DMN62D1SFB-7B正是为您量身打造的解决方案！这颗N沟道MOSFET能轻松胜任410mA的电流开关任务，其低至4.5V的驱动电压让您能用更简单的电路实现高效控制，显著降低整体系统的功耗。

它集高性能与微型化于一身。1.4欧姆的低导通电阻意味着更少的能量浪费，发热更低；而仅2.8nC的栅极电荷则带来了迅猛的开关响应速度，非常适合需要快速切换的电源管理和信号路径应用。其3-X1DFN1006超小封装，能完美融入您对空间极其敏感的设计中，无论是可穿戴设备还是高密度主板，都能游刃有余。

选择DMN62D1SFB-7B，就是选择让您的产品在可靠性、能效和体积上获得全面优势。它宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）确保了在各种环境下的稳定表现，是您提升产品竞争力的理想之选。

• 型号:DMN62D1SFB-7B
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X1-DFN1006-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 410MA 3DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):410mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.4 欧姆 @ 40mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:2.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:80 pF @ 40 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:470mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:X1-DFN1006-3
• 封装/外壳:3-UFDFN
• DMN62D1SFB-7B，Diodes产品一站式供应商。