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您正在寻找一颗能轻松驾驭60V以下电压、精准控制中小电流的微型功率开关吗？DMN63D1L-13正是为您而来！这颗采用先进MOSFET技术的N沟道器件，能让您以极低的导通损耗（仅2欧姆@10V）高效管理高达380mA的连续电流，显著提升能效，减少发热。

它集高性能与微型化于一身，SOT-23封装几乎不占空间，让您的PCB布局游刃有余。无论是用于便携设备的负载开关、信号路径切换，还是电机驱动、LED控制等场景，它都能提供快速、可靠的响应。其宽工作温度范围（-55°C ~ 150°C）确保在各种环境下稳定运行，让您的设计更坚固、更值得信赖。

• 型号:DMN63D1L-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):380mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 500mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.3 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:30 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:370mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• DMN63D1L-13，Diodes产品一站式供应商。