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您是否正在寻找一颗能同时控制两路信号、体积小巧且高效的微型开关？DMN63D1LDW-13正是您的理想解决方案。这颗集成了双N沟道的MOSFET，就像一个内置的精密双刀开关，让您能够轻松管理高达60V电压、250mA电流的微小负载，完美适用于需要信号路由或负载切换的紧凑型设计。

它能让您的电路设计事半功倍。极低的导通电阻意味着更少的功率损耗，直接提升设备能效；而低栅极电荷特性确保了快速、干净的开关动作，让信号处理更加高效流畅。其宽广的工作温度范围和微型的SOT-363封装，更让您的产品能够轻松应对各种环境挑战，同时保持板级布局的极致简洁。

• 型号:DMN63D1LDW-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-363
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 60V 0.25A SOT363
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:60V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):250mA
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 500mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.3nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:30pF @ 25V
• 功率 - 最大值:310mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363
• 供应商器件封装:SOT-363
• DMN63D1LDW-13，Diodes产品一站式供应商。