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还在为电路板空间捉襟见肘而头疼吗？DMN63D1LDW-7双N沟道MOSFET就是为您解忧的集成化利器。它在一个微型的SOT-363封装内，为您提供了两个独立的60V/250mA开关通道，让您能轻松实现信号路径选择、负载切换或电源分配，极大节省布局面积。

这颗芯片能为您做什么？它让您以极高的效率控制小功率电路。其低至2欧姆的导通电阻和0.3nC的栅极电荷，意味着更低的导通损耗和更快的开关速度，从而提升系统整体能效与响应性能。无论是用于便携设备的电源管理，还是精密仪器中的信号路由，它都能确保稳定可靠的操作，助您轻松打造出更紧凑、更高效的设计。

• 型号:DMN63D1LDW-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-363
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 60V 0.25A SOT363
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:60V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):250mA
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 500mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.3nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:30pF @ 25V
• 功率 - 最大值:310mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363
• 供应商器件封装:SOT-363
• DMN63D1LDW-7，Diodes产品一站式供应商。