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您正在寻找一颗能“以小博大”的开关核心吗？DMN63D1LT-13正是为您而来。这颗N沟道MOSFET能在仅SOT-523的微小身躯内，为您提供高达60V的耐压和320mA的连续电流处理能力，让您在紧凑的设计中轻松实现可靠的负载驱动与电源切换。

它的卓越之处在于极低的导通损耗（仅2欧姆@10V）和快速的开关特性，能显著提升您的系统能效，延长电池寿命，并减少热量产生。无论是用于便携设备的电源管理，还是物联网传感器的信号控制，它都能让您的设计更高效、更可靠。宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）确保它在各种严苛环境下稳定运行，是您打造高品质、高耐久性产品的理想选择。

• 型号:DMN63D1LT-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-523
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 320MA SOT523
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):320mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 500mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:392 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:30 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:330mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-523
• 封装/外壳:SOT-523
• DMN63D1LT-13，Diodes产品一站式供应商。