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还在为空间有限的电路板寻找高性能的开关解决方案吗？DMN63D1LV-13双N沟道MOSFET阵列就是为您量身打造的答案。它能轻松胜任高达60V电压、550mA电流的开关任务，其低至2欧姆的导通电阻意味着更少的能量损耗和发热，让您的设备运行更高效、更凉爽。

这颗芯片集成了两个独立的通道，为您节省宝贵的布局空间，同时其超低的栅极电荷和输入电容让驱动变得异常轻松，极大地简化了您的驱动电路设计。无论是用于便携设备的电源管理，还是信号路径的切换，它都能提供快速、可靠的响应。选择它，就是选择了一种更简洁、更可靠、更具成本效益的设计路径。

• 型号:DMN63D1LV-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-563
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 60V 0.55A SOT563
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:60V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):550mA（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 500mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.392nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:30pF @ 25V
• 功率 - 最大值:940mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:SOT-563，SOT-666
• 供应商器件封装:SOT-563
• DMN63D1LV-13，Diodes产品一站式供应商。