我们为全球各个行业提供Diodes DMN63D8L-7现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您正在寻找一颗能轻松驾驭低电压、小电流开关任务的“高效能手”吗？DMN63D8L-7正是这样一款为您排忧解难的N沟道MOSFET。它能让您以极低的驱动电压（最低2.5V）高效控制高达30V、350mA的电路通断，其优异的导通特性（低至2.8欧姆的Rds(on)）意味着更少的能量损耗和更出色的能效表现。

这颗芯片能为您做什么？它能让您的便携设备电池更耐用，让信号切换更迅捷可靠。其超低的栅极电荷和输入电容，确保了快速的开关响应，非常适合需要高频操作的场景。同时，宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）和微小的SOT-23封装，让您能轻松将其嵌入空间受限的各类电子产品中，从可穿戴设备到精密传感器，游刃有余。

• 型号:DMN63D8L-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 350MA SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):350mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.8 欧姆 @ 250mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.9 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:23.2 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:350mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• DMN63D8L-7，Diodes产品一站式供应商。