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还在为寻找一颗既能承受高压大电流，又足够小巧高效的MOSFET而烦恼吗？ZXMN10A11GTA正是为您解忧的完美答案。这颗N沟道MOSFET拥有100V的漏源电压和1.7A的连续漏极电流能力，却仅采用紧凑的SOT-223封装，让您能在极其有限的空间内实现强大的电源开关与控制功能。

它的核心魅力在于极高的效率。其导通电阻在10V驱动电压下最大仅为350毫欧，配合低至5.4nC的栅极电荷，能显著降低导通与开关损耗。这意味着您的设备运行更凉爽，电池续航更长久，整体能效大幅提升。无论是用于DC-DC转换、电机驱动还是负载开关，它都能让您的设计更加高效可靠。

此外，它坚固耐用，工作温度范围宽达-55°C至150°C，确保在各种严苛环境下稳定工作。选择ZXMN10A11GTA，就是为您的产品选择了一个强劲、高效且值得信赖的“心脏”，轻松应对各种功率管理挑战。

• 型号:ZXMN10A11GTA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
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