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您正在设计需要高效、紧凑开关解决方案的产品吗？DMN65D8LQ-13正是为您而来。这颗N沟道MOSFET就像一个敏捷而强健的“电子开关”，能在高达60V的电压下，以310mA的电流可靠工作，轻松胜任各种负载切换与信号控制任务。

它的卓越之处在于让您的设计事半功倍。仅需5V或10V的驱动电压，即可实现极低的导通电阻，显著减少功率损耗和发热，让您的设备运行更高效、更持久。同时，其超低的栅极电荷和输入电容，意味着更快的开关速度和更简单的驱动电路设计，帮助您轻松优化系统性能。

无论是空间受限的便携设备，还是要求高可靠性的工业模块，DMN65D8LQ-13凭借其SOT-23微型封装和宽广的工作温度范围，都能无缝集成，稳定运行，是您提升产品竞争力的理想选择。

• 型号:DMN65D8LQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 310MA SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):310mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 欧姆 @ 115mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.87 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:22 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:370mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• DMN65D8LQ-13，Diodes产品一站式供应商。