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还在为电路板上的分立晶体管布局而头疼吗？ZXTDE4M832TA这颗高集成度的双极晶体管阵列，就是为您简化设计、提升效率而生的。它将一对匹配的NPN和PNP晶体管封装在仅8-MLP的微型空间内，让您轻松实现紧凑的电路布局，同时提供高达80V的耐压和3.5A的驱动能力，确保您的信号切换和功率控制既强劲又可靠。

这颗芯片能为您做什么？它让您以一颗器件替代多颗分立元件，大幅节省PCB面积。其优异的电气参数，如低至260mV的饱和压降和高达300的直流电流增益，意味着更低的导通损耗和更强的信号放大能力，让您的系统运行更高效、更凉爽。无论是用于电机驱动、电源管理还是逻辑接口转换，ZXTDE4M832TA都能以卓越的稳定性和性能，助您轻松应对各种设计挑战。

• 型号:ZXTDE4M832TA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-MLP（3x2）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 双极晶体管阵列
• 描述:TRANS NPN/PNP 80V/70V 8MLP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 晶体管类型:1 NPN，1 PNP
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:3.5A，2.5A
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V，70V
• 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:325mV @ 300mA，3.5A / 260mV @ 200mA，1.5A
• 电流 - 集电极截止（最大值）:25nA
• 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:300 @ 200mA，2V / 40 @ 1.5A，5V
• 功率 - 最大值:1W
• 频率 - 跃迁:160MHz，180MHz
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-VDFN 焊盘
• 供应商器件封装:8-MLP（3x2）
• ZXTDE4M832TA，Diodes产品一站式供应商。