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还在为电路中的高效、紧凑开关方案发愁吗？让DMN67D8LW-7为您轻松解决！这颗N沟道MOSFET是专为空间受限、追求能效的应用而生的得力助手。它能在5V/10V的低电压驱动下高效工作，以仅5欧姆的低导通电阻，确保高达240mA的电流顺畅通过，显著降低功率损耗，让您的设备运行更凉爽、续航更持久。

其超快的开关特性（栅极电荷仅0.82nC）让信号切换干净利落，非常适合需要快速响应的控制电路。无论是用于便携设备的电源管理、信号链路的精准选通，还是作为各种负载的驱动开关，DMN67D8LW-7都能以SOT-323微型封装之躯，提供稳定可靠的60V耐压保障，助您轻松实现高性能、高可靠性的紧凑设计。

• 型号:DMN67D8LW-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-323
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 240MA SOT323
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):240mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 欧姆 @ 500mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.82 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:22 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:320mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-323
• 封装/外壳:SC-70，SOT-323
• DMN67D8LW-7，Diodes产品一站式供应商。