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还在寻找一颗能兼顾高性能与易用性的中压功率开关吗？DMN7022LFG-13正是为您而来的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有75V的耐压和7.8A的连续电流能力，其核心魅力在于仅22毫欧的超低导通电阻，能显著降低功率路径上的损耗，让您的电源转换或电机驱动方案运行得更凉爽、更高效。

它采用先进的PowerDI3333-8封装，散热性能优异，且支持表面贴装，能帮助您轻松实现紧凑的PCB布局。更令人心动的是，仅需4.5V的栅极电压即可实现高效驱动，让您能够直接使用微控制器进行控制，简化外围电路设计，加速产品开发进程。选择DMN7022LFG-13，就是为您的产品注入一颗强劲而可靠的心脏。

• 型号:DMN7022LFG-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 75V 7.8A PWRDI3333-8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:75 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.8A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:22 毫欧 @ 7.2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:56.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2737 pF @ 35 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:900mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMN7022LFG-13，Diodes产品一站式供应商。