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您正在设计需要高效、可靠开关控制的应用吗？DMN10H700S-13正是为您而来的解决方案。这颗N沟道MOSFET能轻松处理高达100V的电压和700mA的电流，其出色的导通电阻和快速的开关特性，让您的电源管理或信号切换电路运行得更冷静、更迅捷。

它不仅能大幅提升能效，其坚固的车规级（AEC-Q101）设计和宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C），更确保了在汽车电子或工业环境等严苛条件下的长久稳定运行。选择它，就是为您的产品选择了一份经得起考验的可靠性与高效性能。

• 型号:DMN10H700S-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):700mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:700 毫欧 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:4.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:235 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:400mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• DMN10H700S-13，Diodes产品一站式供应商。