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您正在寻找一颗能显著提升开关电源效率、让电机驱动更强劲的核心开关器件吗？DMN7022LFGQ-13正是为您而来的解决方案。这颗来自Diodes Incorporated的N沟道功率MOSFET，拥有75V的耐压和高达23A的电流处理能力，其关键在于极低的导通电阻（典型值22mΩ），能大幅降低导通损耗，让您的系统运行更凉爽、更高效。

它能让您轻松应对DC-DC转换、电机控制、负载开关等应用中的功率切换挑战。优化的栅极电荷和开关特性，确保了快速、干净的开关动作，有助于提升整体频率响应和效率。采用紧凑的PowerDI3333-8表面贴装封装，它还能帮您节省宝贵的电路板空间，非常适合高密度设计。选择DMN7022LFGQ-13，就是选择了一个可靠、高效的动力核心，让您的产品性能脱颖而出。

• 型号:DMN7022LFGQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 75V 23A POWERDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:75 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):23A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:22 毫欧 @ 7.2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:56.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2737 pF @ 35 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMN7022LFGQ-13，Diodes产品一站式供应商。