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您正在寻找一颗能扛起高压、大电流重任，同时保持高效稳定的功率开关吗？DMN80H2D0SCTI正是为此而生！这颗800V/7A的N沟道MOSFET，凭借其优异的电气特性，让您轻松应对开关电源、电机驱动等应用的严苛需求。

它的核心价值在于高效与可靠。极低的导通电阻显著减少了功率损耗，帮助您的系统提升能效、降低发热。同时，优化的栅极电荷和电容参数确保了快速干净的开关特性，让您的设计在高频下也能游刃有余。采用坚固的TO-220AB封装，散热能力强，安装简便，是构建耐用、高性能功率电路的坚实基石。

• 制造商产品型号：DMN80H2D0SCTI
• 制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 800V 7A ITO220AB
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：800V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：7A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：2 欧姆 @ 2.5A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：35.4nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1253pF @ 25V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：41W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：ITO-220AB
• DMN80H2D0SCTI，Diodes产品一站式供应商。