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您正在寻找一颗能扛起高压重任、同时保持高效敏捷的功率开关吗？DMN90H2D2HCTI正是您的理想之选。这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，拥有高达900V的击穿电压和6A的电流处理能力，专为要求严苛的开关电源、电机驱动和功率转换应用而设计。

它能让您轻松驾驭高压场景，其优化的2.2欧姆导通电阻（最大值）和快速的开关特性，显著降低了导通与开关损耗，直接提升系统整体能效。搭配TO-220AB封装带来的出色散热能力，确保设备在-55°C至150°C的宽广温度范围内稳定运行，大幅增强了产品的可靠性与耐用性。选择它，就是为您的核心电路注入一颗高效、可靠且易于驱动的“强力心脏”。

• 制造商产品型号：DMN90H2D2HCTI
• 制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 900V 6A ITO220AB
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：900V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：6A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：2.2 欧姆 @ 3A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：20.3nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1487pF @ 25V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：40W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：ITO-220AB
• DMN90H2D2HCTI，Diodes产品一站式供应商。