还在为复杂的功率开关设计头疼吗?让ZXM64P02XTA来为您简化一切!这颗P沟道MOSFET是您实现高效、紧凑电源管理的得力助手。
它能在20V的电压下稳定承载3.5A电流,凭借低至90毫欧的导通电阻,显著减少功率损耗,提升系统整体能效。其低栅极电荷和输入电容特性,让开关动作快速利落,非常适合电池供电设备和空间受限的应用。
选择它,意味着您能轻松获得更长的续航、更小的体积和更可靠的表现。让ZXM64P02XTA助力您的产品,在性能和成本之间找到完美平衡点。
- 型号:ZXM64P02XTA
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:8-MSOP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET P-CH 20V 3.5A 8MSOP
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- FET 类型:P 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):20 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.5A(Ta)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.7V,4.5V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):90 毫欧 @ 2.4A,4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):700mV @ 250A(最小)
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):6.9 nC @ 4.5 V
- Vgs(最大值):±12V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):900 pF @ 15 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):1.1W(Ta)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:8-MSOP
- 封装/外壳:8-TSSOP,8-MSOP(0.118\\
- ZXM64P02XTA,Diodes产品一站式供应商。