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您正在寻找一颗能轻松驾驭高压开关任务的“能量指挥官”吗？DMN95H2D2HCTI正是您的理想之选。这颗N沟道MOSFET拥有950V的惊人耐压和6A的电流处理能力，让您的电源、电机驱动或照明系统在面对电压冲击时稳如泰山，极大提升整体方案的可靠性。

它的核心价值在于让您的设计更高效、更简洁。仅2.2欧姆的低导通电阻能显著降低导通损耗，提升能效；而优化的开关特性则让驱动设计变得更轻松，帮助您实现更快的系统响应。采用坚固的ITO-220AB封装，散热性能优异，能在-55°C到150°C的宽广温度范围内稳定工作，是应对各种严苛环境的得力助手。

• 制造商产品型号：DMN95H2D2HCTI
• 制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 950V 6A ITO220AB
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：950V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：6A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：2.2 欧姆 @ 3A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：20.3nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1487pF @ 25V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：40W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：ITO-220AB
• DMN95H2D2HCTI，Diodes产品一站式供应商。