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还在为高压应用中的开关器件选型而犹豫吗？DMN95H8D5HCT正是为您的高要求设计而来。这颗950V耐压、2.5A电流能力的N沟道MOSFET，核心使命就是让您在构建AC-DC电源、电机驱动或功率转换电路时，获得坚固可靠的高压开关解决方案。

它凭借优化的7欧姆导通电阻和仅7.9nC的低栅极电荷，能显著降低您的系统导通与开关损耗，从而提升整体能效，让设备运行更凉爽、更高效。其TO-220AB封装和125W的强大功率处理能力，让散热设计变得更为轻松。选择它，就是为您的产品选择了经久耐用的性能基石。

• 型号:DMN95H8D5HCT
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-220AB（TH 型）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 950V 2.5A TO220AB
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:950 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7 欧姆 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7.9 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:470 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220AB（TH 型）
• 封装/外壳:TO-220-3
• DMN95H8D5HCT，Diodes产品一站式供应商。