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您正在寻找一颗能轻松驾驭近千伏高压，同时保持高效、可靠开关性能的“核心开关”吗？DMN95H8D5HCTI正是为此而生。这款950V N沟道MOSFET，能为您的高压开关电源、电机驱动或PFC电路提供坚固的基石。

它凭借低至7欧姆的导通电阻，显著降低导通损耗，让您的系统运行更凉爽、能效更高。优化的栅极电荷和电容特性，让驱动更轻松，实现快速干净的开关动作，从而提升整体系统的响应速度与功率密度。其坚固的ITO-220AB封装和宽泛的工作温度范围（-55°C ~ 150°C），确保它在各种挑战性环境中都能稳定工作，极大增强了您最终产品的耐用性和市场竞争力。

• 型号:DMN95H8D5HCTI
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:ITO-220AB
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CHANNEL 950V ITO220AB
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:950 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7 欧姆 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7.9 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:470 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:ITO-220AB
• 封装/外壳:TO-220-3 全封装，隔离接片
• DMN95H8D5HCTI，Diodes产品一站式供应商。