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还在寻找那颗能同时兼顾高效率、高电流与卓越可靠性的功率开关吗？DMNH3010LK3-13正是为您而来的解决方案。这颗30V N沟道MOSFET，凭借仅9.5毫欧的超低导通电阻，能显著降低开关损耗，让您的电源设计更凉爽、能效比更高，轻松应对高达55A的持续电流挑战。

它专为严苛环境打造，拥有汽车级AEC-Q101认证和-55°C至175°C的宽广工作结温范围，确保无论是在汽车引擎舱旁还是工业设备内部，都能稳定运行。其优化的栅极电荷和快速开关特性，让您能够设计出响应更迅捷、频率更高的控制电路。选择它，就是为您的产品选择了经久耐用的高性能核心。

• 型号:DMNH3010LK3-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 15A/55A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Ta），55A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9.5 毫欧 @ 18A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:37 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2075 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• DMNH3010LK3-13，Diodes产品一站式供应商。