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还在为电源路径上的开关损耗和散热问题头疼吗？DMP4015SPS-13 P沟道MOSFET就是为您而来的高效解决方案。它能以高达8.5A的电流和40V的电压，轻松担当起您系统中负载开关或电机驱动的重任，其超低的11毫欧导通电阻能显著减少能量浪费，让您的设备运行更凉爽、续航更持久。

这颗芯片采用先进的PowerDI5060-8封装，在节省宝贵电路板空间的同时，提供了优异的散热性能。它让您能够设计出更紧凑、更可靠的电源管理模块，无论是用于快速充电、电源分配还是电机控制，都能游刃有余，大幅提升终端产品的整体竞争力和用户体验。

• 型号:DMP4015SPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 40V 8.5A PWRDI5060-8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.5A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11 毫欧 @ 9.8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:47.5 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4234 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.3W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• DMP4015SPS-13，Diodes产品一站式供应商。