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还在为复杂的双MOSFET布局和性能瓶颈头疼吗？DMNH4015SSD-13为您提供了一站式的高效解决方案。这颗集成了两个高性能N沟道MOSFET的芯片，能让您轻松实现高达11A的电流负载，同时凭借低至15毫欧的导通电阻，显著降低开关过程中的能量损耗，直接提升您产品的整体能效和续航能力。

它专为要求高效率、高可靠性的应用而优化。无论是驱动电机、管理电源开关，还是构建精密的负载控制电路，其优异的电气特性和宽泛的工作温度范围（-55°C至175°C）都能确保稳定表现。采用紧凑的8-SOIC表面贴装封装，让您的PCB设计更灵活，布局更简洁，助您轻松打造出更小、更酷、性能更强的终端产品。

• 型号:DMNH4015SSD-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 11A 8SOIC
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:-
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:15 毫欧 @ 12A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1938pF @ 15V
• 功率 - 最大值:-
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
• DMNH4015SSD-13，Diodes产品一站式供应商。