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还在为电源效率难以突破而困扰吗？DMNH6008SPS-13正是您期待的答案。这颗来自Diodes的N沟道MOSFET，拥有60V的耐压和高达16.5A的连续漏极电流，其核心魅力在于惊人的低导通电阻在10V驱动下仅8毫欧。这意味着它能大幅降低导通损耗，把更多电能高效地输送给负载，让您的电源模块或电机驱动方案运行得更凉快、更持久。

它专为追求高性能与高可靠性的应用而生。无论是数据中心服务器电源的同步整流，还是电动工具、无人机电调的高频开关，其优化的栅极电荷和快速的开关特性都能让您轻松实现高效控制。采用先进的PowerDI5060封装，在提供强大功率处理能力的同时，兼顾了出色的散热性能和紧凑的占板面积，完美适配现代电子产品小型化的趋势。选择它，就是选择为您的核心电路注入一颗强劲而高效的“心脏”。

• 型号:DMNH6008SPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 16.5A PWRDI5060
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16.5A（Ta），88A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40.1 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2597 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3.3W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• DMNH6008SPS-13，Diodes产品一站式供应商。