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还在寻找一颗能轻松驾驭小型电机驱动的“全能选手”吗？ZXMHN6A07T8TA正是您期待的答案。这颗高度集成的H桥MOSFET阵列，内置4个N沟道MOSFET，让您仅用一颗芯片就能高效实现电机的正转、反转、刹车与调速控制，彻底告别分立元件搭建的繁琐与不稳定。

它专为低压高效应用而生，60V的漏源电压和1.4A的连续电流能力，足以应对大多数小型直流有刷电机和步进电机的驱动需求。其逻辑电平门控（低至3V阈值）让您可以直接用微控制器GPIO口驱动，配合仅300毫欧的低导通电阻，有效减少发热，提升系统整体能效。紧凑的SOT-223-8封装，更为您的PCB布局节省宝贵空间，让设计更简洁，生产更高效。

• 型号:ZXMHN6A07T8TA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SM8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 4N-CH 60V 1.4A SM8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:4 N 沟道（全桥）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:60V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.4A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:300 毫欧 @ 1.8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:3.2nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:166pF @ 40V
• 功率 - 最大值:1.6W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:SOT-223-8
• 供应商器件封装:SM8
• ZXMHN6A07T8TA，Diodes产品一站式供应商。