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还在寻找一颗能同时满足大电流、低损耗和高可靠性的功率开关吗？DMNH6012LK3Q-13就是您的理想答案。这颗N沟道MOSFET拥有60V/80A的强悍规格，其核心魅力在于仅12毫欧的超低导通电阻，能显著降低开关过程中的功率损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

它专为应对严苛环境而设计，通过汽车级AEC-Q101认证，工作结温范围宽达-55°C至175°C，确保在汽车电子或工业应用中的稳定表现。采用TO-252-4L封装，兼顾了功率密度与散热需求，配合其低栅极电荷特性，让您能轻松设计出更紧凑、更快速的开关电路，全面提升终端产品的性能和可靠性。

• 型号:DMNH6012LK3Q-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 80A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:12 毫欧 @ 25A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:35.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1926 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• DMNH6012LK3Q-13，Diodes产品一站式供应商。