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还在寻找一颗能同时征服高功率与紧凑空间的“全能战士”吗？DMNH6021SPD-13正是为您而来的解决方案。这颗双N沟道MOSFET集60V耐压、8.2A持续电流和极低的25毫欧导通电阻于一身，能显著降低开关损耗和热量产生，让您的电源转换或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

它采用节省空间的8-PowerTDFN表面贴装封装，并拥有-55°C至175°C的宽工作温度范围，完美契合汽车电子及工业应用对可靠性与小型化的双重严苛需求。选择它，就是为您的设计注入强劲动力与安心保障。

• 型号:DMNH6021SPD-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 60V 8.2A PWRDI50
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:60V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.2A，32A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:25 毫欧 @ 15A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:20.1nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1143pF @ 25V
• 功率 - 最大值:1.5W
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• DMNH6021SPD-13，Diodes产品一站式供应商。